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多波長(zhǎng)橢偏儀采用壽命長(zhǎng) LED 光源和非移動(dòng) 式部件橢偏探測(cè)器，可在操作簡(jiǎn)單的緊湊型橢偏儀中實(shí)現(xiàn)可靠地薄膜測(cè)量。大多數(shù)厚度 0–1000 nm 的透明薄膜只需要簡(jiǎn)單的 1 秒測(cè)量，就可以獲得準(zhǔn)確的數(shù)據(jù)。還可以測(cè)量大多數(shù)樣品的光學(xué)常數(shù)和其他薄膜特性。
Lumina AT2 薄膜缺陷檢測(cè)儀：實(shí)現(xiàn)亞納米薄膜涂層、納米顆粒、劃痕、凹坑、凸起、應(yīng)力點(diǎn)和其他缺陷的全表面掃描和成像。實(shí)用于透明、硅、化合物半導(dǎo)體和金屬基底。
Profilm3D光學(xué)輪廓儀使用的垂直干涉掃描(WLI)與高精度的相位干涉(PSI)技術(shù)。以低價(jià)格實(shí)現(xiàn)次納米級(jí)的表面形貌研究。
KLA探針式臺(tái)階儀P-7：P-7支持從幾納米到一毫米的臺(tái)階高度測(cè)量，適用于生產(chǎn)和研發(fā)環(huán)境。該系統(tǒng)可以對(duì)臺(tái)階高度、粗糙度、翹曲度和應(yīng)力進(jìn)行2D和3D測(cè)量，其掃描可達(dá)150mm而無(wú)需圖像拼接。
Lumina AT1薄膜缺陷檢測(cè)儀實(shí)現(xiàn)亞納米薄膜涂層、納米顆粒、劃痕、凹坑、凸起、應(yīng)力點(diǎn)和其他缺陷的全表面掃描和成像。實(shí)用于透明、硅、化合物半導(dǎo)體和金屬基底。
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